ibm的power、太阳微系统的sparc、dec的alpha、mips科技的mips等等在内的微处理器，都在积极采用微米制程，以顺利迈过运行频率100mhz这个极具标志意义的门槛。
不过，这个最直接的方法，也是有极限的——最起码可以预见的是，当制程达到比微米更精密的阶段，难度会极度放大。
在这种情况下，半导体行业升级除了紧紧盯着制程这个外部元素的“雕刀”之外，也开始努力在“萝卜”这个内部元素上做文章。
以前，在这方面的手段也很直接粗暴，即主要是提高晶圆尺寸——自1990年代初以来，在哲儒的引领下，半导体业界纷纷引入200毫米，也就是8英吋晶圆的制造技术。
显而易见，晶圆直径的尺寸增加后，可容纳的晶体管数量也大幅度提高，但让“萝卜变粗”的品种改良过程，所遇到的瓶颈更难突破。
所以，半导体行业必须改变“粗放型”的发展模式，转而在“精致”上花功夫。
而铜互连技术的引入，相当于在局部着手，改善了萝卜的口味、提高了对雕刀刻画的承受力。
用专业的话来解释，因为铜的电阻率约为纳欧·米，铝的电阻率约为纳欧·米，铜的导电率大大高于铝，所以超大规模集成电路里采用铜互连，能够减小互连层的厚度，降低互连层间的分布电容，从而让微处理器进一步提高运行频率成为可能。
与此同时，随着集成电路的密度进一步增加，电子迁移现象变得无法忽视，而在这方面，铜也比铝有很强的优越性。盖因，铜的熔点约为1084摄氏度，铝的熔点约为660摄氏度，铜相对更不容易发生电子迁移现象。
引用更为具体的数据就是，铜的导电能力大约比铝高40%，从而使得微处理器的运行频率提高大约15%；与此同时，铜比铝更加耐用，也让集成电路不但可以做得更小，还能让可靠性提高大约100倍。
当然了，万物不可能十全十美——相比于传统的铝互连，铜互连虽然具有低电阻率、较好的抗电子迁移能力等等优点，但也同时伴随着新的问题。
比如，沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失之类。
正是诸如此类的多种技术难关，业内大多数人认为——虽然芯片中的传统铝互连，局限非常明显，但铜互连要想取而代之，却是不可能的。
别人担心高额投入之下，无法取得回报，唐焕却不会怀疑这个“从0到1”的质变过程——铜互连是必由之路、也是成功之路，于是他就再次走到了前面。